结构优化

结构优化是日常计算任务中最广泛开展的任务类型，现在通过 GVasp 可以很快速的生成对应的输入文件，用户只需要提供一个 *.xsd 文件即可。

当准备好 *.xsd (来自 Material Studio 软件) 后，执行下述命令：

gvasp submit opt

之后，输入文件 (INCAR, KPOINTS, POSCAR and POTCAR) 就会自动生成出来了。

警告

工作目录下面只能有一个 *.xsd 文件，否则结构生成的结果是未知的。

开启 low-first 选项

在实际的计算任务中，结构优化十分耗时，一种加快策略是先采用低精度开展计算任务，然后再基于低精度优化后的结构进行正常精度的计算。

使用 GVasp，你可以使用下述命令来开展这样的 low-first 计算任务。

gvasp submit opt -l/--low

备注

事实上，在当前的版本中，我们只把 ENCUT 设为 300.0 来进行低精度的计算任务。

下面的参数可以应用在所有的自动生成输入任务中。

指定赝势

当然，如果你不想用默认的赝势（”PAW_PBE”），也可以通过传递参数来指定赝势的类型，类似这样：

gvasp submit opt -p/--potential PAW_PW91

备注

指定的赝势必须是 [‘PAW_LDA’, ‘PAW_PBE’, ‘PAW_PW91’, ‘USPP_LDA’, ‘USPP_PW91’] 这些类型中的其中之一。

备注

The -p/--potential accept one or more values, if you specify one potential, all the elements will use the same potential; and if you specify two or more potentials, the potential will auto corresponding to the element in POSCAR, noticed that the number of potential should equal to the number of elements in POSCAR

重要

The VASP provide the recommend potential for some elements (see here), and we also applied them in GVasp.

开启 VDM-修正

GVasp 支持指定范德华（vdw）修正选项，只需要运行下述命令：

gvasp submit opt -V/--vdw

备注

开启 vdw 选项会在 INCAR 中设置 IVDW = 12。

包含溶剂效应

GVasp 支持开展溶液体系计算，只需要运行下述命令：

gvasp submit opt -S/--sol

备注

默认溶剂是水，你可以通过修改 INCAR 中的 EB_K 参数来指定不同的溶剂。

执行 Gamma-点计算

使用 vasp_gam 对大尺度体系开展 Gamma 点计算可以使用下述命令：

gvasp submit opt -G/--gamma

perform the HSE06 calculation

Use HSE06 method rather than the PBE method to perform the calculation can run the following command:

gvasp submit opt -H/--hse

perform the Static calculation

Perform the static calculation (NSW=1) can run the following command:

gvasp submit opt -SP/--static

执行带电体系计算

如果你想通过设置 NELECT 参数来执行带点体系的计算，使用 GVasp 也可以很容易的生成对应的输入。

以 +1 带电体系为例，执行的命令如下所示：

gvasp submit opt -N/--nelect +1

备注

NELECT 参数接受实数作为输入值，因此浮点数（例如，-0.5）也是允许值。

上述参数可以单独使用，也可以和其他参数一起共同其效果，类似这样：

gvasp submit opt -G -V -S -P PAW_PBE -N/--nelect -0.5